Rowhammer
DRAMの同じ行を高速に読み出し続けると隣の行のビットが反転する。この現象を突いて、ソフトウェア側の防御をすべて素通りする攻撃。
2014年にカーネギーメロン大学の研究で学術的に示された。現代のDRAMはセルが極めて高密度に並んでおり、行同士の間で電荷が漏れ出すことが原因だ。2015年にはGoogle Project Zeroがカーネルの権限昇格を実演し（NaClサンドボックスの脱出）、2016年の「Drammer」はAndroid端末を攻撃した。対策にはDDR4以降に組み込まれたTRR（Target Row Refresh）、ECCメモリ（助けにはなるが完全な解決ではない）、DDR5のオンダイECCがある。研究は今も続いており、TRRespassやHalf-Doubleといった新しい変種が見つかり続けている。