GaN-FET
窒化ガリウム(GaN)のトランジスタ。ワイドバンドギャップ半導体(バンドギャップ3.4eV、シリコンは1.1eV)で、スイッチング周波数を高く、損失を小さくでき、同じ電力でも小型化できる。最近の65〜140W級USB-C充電器では標準になっている。
用途は、スマートフォンやノートPCの充電器(Anker Nano、Apple 70W USB-C)、サーバー電源、EVの車載充電器、データセンターの整流器などだ。性能面では、シリコンMOSFETの電源と比べて約50%小さく、効率は約30%高い。コストはシリコンの2〜3倍だが、シリコンでは不可能なコンパクト設計を可能にする。AC-DCやDC-DCコンバータで特に効果が大きい。今後は、高電圧用途(EV、太陽光インバータ)ではSiC(炭化ケイ素)が競合し、低電圧ではGaNが優勢と見られる。普及は2020年以降に急拡大し、100W超の新しい充電器はほぼすべてGaNを使っている。