FRAM

書き込みエネルギーはフラッシュの約100分の1。書き換え耐性は10¹⁴回（フラッシュは約10⁵回）。消去サイクルは不要で、バイト単位で直接書き込める。用途はスマートメーター、血糖測定器、10年以上持つことを求められるバッテリー駆動のセンサーなど。この分野ではTIが2010年ごろから優位に立っている。