フラッシュメモリ
電源を切ってもデータが消えない不揮発性メモリ。SSD、USBメモリ、SDカード、スマートフォンのストレージの土台である。
1980年頃、東芝の舛岡富士雄が発明した。主な種類は2つ。NOR はランダムアクセスが速く、ブートローダーやファームウェアに使われる。NAND は高密度で安価で、大容量ストレージのほぼすべてがこちらだ。NANDセルは1セルあたりのビット数で分類される。SLC(1ビット、最速・最高価・最長寿命)、MLC(2)、TLC(3、主流)、QLC(4、安価で寿命は短め)、PLC(5、実験段階)。書き込みできる回数には限りがあり、ウェアレベリングで消耗を分散させる。