V-NAND
Maggiori info
- Produttore
- Samsung
- Anno
- 2013
- Tipo
- Memoria flash 3D NAND
La risposta di Samsung quando le celle flash non si potevano più rimpicciolire in orizzontale: costruire in verticale.
All'inizio degli anni 2010 la memoria flash NAND planare era a un punto morto: le celle erano così vicine da interferire tra loro e l'affidabilità calava. Nel 2013 Samsung rispose con la V-NAND («vertical NAND»), la prima 3D NAND in produzione di massa: invece di ridurre ancora le celle, le si impila in verticale, da poche decine di strati fino a ben oltre 200 oggi.
La tecnologia cambiò anche il meccanismo di memorizzazione, passando dal floating gate al charge-trap flash (CTF), che sopporta meglio l'impilamento. Ne risulta una flash più densa, più economica e più durevole, il motore degli SSD moderni. Tutti i produttori di NAND hanno seguito l'esempio, ma Samsung ci è arrivata per prima e mantiene tuttora un numero di strati elevato.