Phase-Change-Memory
Nichtflüchtiger Speicher, bei dem Bits als amorpher oder kristalliner Zustand einer Chalkogenid-Legierung gespeichert und per Hitze umgeschaltet werden.
Stanford Ovshinsky erfand das Konzept in den 1960ern. Kommerziell umgesetzt: Intel/Micron 3D XPoint (Optane), IBMs Experimente zu In-Memory-Computing, Samsung. Vorteile: 1000-mal schneller als NAND, byteweise adressierbar. Nachteile: teuer, geringere Schreibausdauer als DRAM. Die Forschung läuft weiter, kommerziell blieb es bisher ein Flop.